2007年，45nm发布盛况空前，虽然Penryn架构的微调也对至今的CPU有很大影响，但45nm工艺更为重要。虽然45nm High-K Metal Gate是一串不容易技术的生僻技术词汇，但相信普通用户谈起45nm也能说出其中原理。Intel率先采用High-K铪的氧化物材料作为栅极介质，并采用了金属替代多晶硅作为栅电极。虽然在2009年，其他半导体制造厂也投产了45nm产品，但并没有采用Intel类似的新材料方案，产品功耗控制明显相差极大。45nm技术的出现，被业界誉为40年来半导体业的最大发明，没有它就没有摩尔定律今后的20年。
