【IT168 资讯】dailytech报道，英飞凌的研究人员们已经测试了65nm multi-gate finFET结构晶体管，可译作“多栅极鳍式场效晶体管”，场效应管的源极（Source）和漏极（Drain）部分看起来好像鱼鳍一样，栅极（gate）则和以往的电路都在一个平面上不同，从三维空间的上方连入，所以称之为鳍式。
研究人员测试的芯片带有3000个采用这种方式制造的晶体管，和现有的单栅极技术相比，该技术下开发的芯片可以在70%的面积上达到同样的性能，同时还能减少10%的漏电流，因此将显著增强芯片的性能功耗比，和现在的65nm技术相比，最高可以延长移动设备续航时间一倍！
英飞凌称，世界首款65nm多栅极技术的诞生，证明了推动摩尔定律前进的并不仅仅是制程技术改革而已，从90nm到80nm再到65nm，更高级的制程中，同样体积芯片可以装入的晶体管数量更多，从而提升性能，但是现在不是提升性能，降低功耗的唯一途径了。另外不仅是现在的65nm，未来更先进制程的产品中也会采用这种技术。
此外Intel在今年中期曾宣布，在其未来的32nm甚至22nm产品中采用类似的三栅极晶体管技术。
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