主板

超频后北桥温度

　　为了保证温度测试的可靠性，我们将常规测试时使用的温度较高的GeForce 8800GTX换成发热表现相对好很多的GeForce 8600GTS，测试平台为裸机，室内环境温度约为28度，测试三次取中间温度，测试用CPU散热器为Tower 120。

　　从上图我们可以看到，将北桥电压提升至1.45V确保CPU超频至500外频之后，北桥的温度明显上升，系统空载时稳定在43度，这个温度还是比较高的，相信在系统负载较大会更高一些，不过这也是P35芯片发热较大的问题，一般超频P35主板的北桥在高频下都是相当热的。

南桥温度

　　超频之后南桥温度为39度，和北桥差距不大，热管在这里起到了明显的效果，如果南桥散热片的散热面积能够加大的话，散热效果能获得进一步提升。

超频后MOSFET的温度

　　而后我们测试了完全裸露的CPU供电模块处的MOSFET的温度，结果没有出乎我们的意料。由于Tower 120是侧吹型散热器，测试时我们也将风扇转速调整至最大以获得最大风量，系统也为空载状态，但是仅有的10枚MOSFET达到了65度的高温，用手摸上去已经非常的烫了。虽然这种温度远未达到MOSFET正常工作的极限，短时间内测试也不会发现任何问题，但是对于长期超频，并且在封闭机箱中使用主板的超频用户来说，这个温度并不是一个很理想的数字。